خرید Vishay Siliconix SUD20N10-66L-GE3 MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252

شماره قطعه

SUD20N10-66L-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

بسته دستگاه تامین کننده

TO-252

اتلاف نیرو (حداکثر)

2.1W (Ta), 41.7W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

16.9A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

66 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

30nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

860pF @ 50V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 44016 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252