خرید Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

شماره قطعه

SIS888DN-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

ThunderFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TA)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® 1212-8S

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

اتلاف نیرو (حداکثر)

52W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

150V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

4.2V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

14.5nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

420pF @ 75V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

7.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 50345 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212