خرید Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SIRC06DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

شماره قطعه

SIRC06DP-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET® Gen IV

وضعیت قطعه

Active

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SO-8

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SO-8

اتلاف نیرو (حداکثر)

5W (Ta), 50W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

Schottky Diode (Isolated)

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

32A (Ta), 60A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.1V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

58nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (حداکثر)

+20V, -16V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 18281 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SIRC04DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8