تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
شماره قطعه
SIHU3N50D-E3
سازنده / برند
سلسله
-
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته / مورد
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
بسته دستگاه تامین کننده
TO-251AA
اتلاف نیرو (حداکثر)
69W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
500V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
12nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
175pF @ 100V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±30V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 30137 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از SIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3 اجزای الکترونیکی
SIHU3N50D-E3 حراجی
SIHU3N50D-E3 تامین کننده
SIHU3N50D-E3 پخش کننده
SIHU3N50D-E3 جدول داده
SIHU3N50D-E3 عکس
SIHU3N50D-E3 قیمت
SIHU3N50D-E3 پیشنهاد
SIHU3N50D-E3 پایین ترین قیمت
SIHU3N50D-E3 جستجو کردن
SIHU3N50D-E3 خرید
SIHU3N50D-E3 Chip