خرید Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30V

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

SIDR392DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V

شماره قطعه

SIDR392DP-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET® Gen IV

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SO-8

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SO-8DC

اتلاف نیرو (حداکثر)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

82A (Ta), 100A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.2V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

188nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

9530pF @ 15V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

+20V, -16V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 28333 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC