خرید Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL,LQ MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

TPN6R003NL,LQ

MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

شماره قطعه

TPN6R003NL,LQ

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

U-MOSVIII-H

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerVDFN

بسته دستگاه تامین کننده

8-TSON Advance (3.3x3.3)

اتلاف نیرو (حداکثر)

700mW (Ta), 32W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

6 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.3V @ 200µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

17nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

1400pF @ 15V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به chen_hx1688@hotmail.com بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 29674 PCS

اطلاعات تماس