خرید Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5,S1VQ MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

TK39J60W5,S1VQ

MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

شماره قطعه

TK39J60W5,S1VQ

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

DTMOSIV

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tube

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-3P-3, SC-65-3

بسته دستگاه تامین کننده

TO-3P(N)

اتلاف نیرو (حداکثر)

270W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

Super Junction

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

600V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

38.8A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3.7V @ 1.9mA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

135nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

4100pF @ 300V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±30V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 38198 PCS

اطلاعات تماس