خرید Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X,S1X MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

TK25E60X,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

شماره قطعه

TK25E60X,S1X

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

DTMOSIV-H

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tube

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220

اتلاف نیرو (حداکثر)

180W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

600V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

25A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

125 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3.5V @ 1.2mA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

40nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

2400pF @ 300V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±30V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 30068 PCS

اطلاعات تماس