تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXFN20N120P

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
شماره قطعه
IXFN20N120P
سازنده / برند
سلسله
Polar™
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Chassis Mount
بسته / مورد
SOT-227-4, miniBLOC
بسته دستگاه تامین کننده
SOT-227B
اتلاف نیرو (حداکثر)
595W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
1200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
6.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
193nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
11100pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±30V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 37788 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از IXFN20N120P
IXFN20N120P اجزای الکترونیکی
IXFN20N120P حراجی
IXFN20N120P تامین کننده
IXFN20N120P پخش کننده
IXFN20N120P جدول داده
IXFN20N120P عکس
IXFN20N120P قیمت
IXFN20N120P پیشنهاد
IXFN20N120P پایین ترین قیمت
IXFN20N120P جستجو کردن
IXFN20N120P خرید
IXFN20N120P Chip