خرید Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

IPU80R1K4CEBKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

شماره قطعه

IPU80R1K4CEBKMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

CoolMOS™

وضعیت قطعه

Discontinued at Digi-Key

بسته بندی

Tube

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

بسته دستگاه تامین کننده

PG-TO251-3

اتلاف نیرو (حداکثر)

63W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

800V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

3.9A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

1.4 Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3.9V @ 240µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

23nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

570pF @ 100V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 8160 PCS

اطلاعات تماس