خرید Infineon Technologies IPT60R050G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

IPT60R050G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

شماره قطعه

IPT60R050G7XTMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

CoolMOS™ G7

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerSFN

بسته دستگاه تامین کننده

PG-HSOF-8

اتلاف نیرو (حداکثر)

245W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

650V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

44A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

50 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

4V @ 800µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

68nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

2670pF @ 400V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 16079 PCS

اطلاعات تماس