خرید Infineon Technologies IPC100N04S51R7ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

IPC100N04S51R7ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

شماره قطعه

IPC100N04S51R7ATMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

OptiMOS™

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerTDFN

بسته دستگاه تامین کننده

PG-TDSON-8

اتلاف نیرو (حداکثر)

115W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

40V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

1.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3.4V @ 60µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

83nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

4810pF @ 25V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

7V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 42649 PCS

اطلاعات تماس