خرید Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 MOSFET N-CH 4SOT223

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

BSP88H6327XTSA1

MOSFET N-CH 4SOT223

شماره قطعه

BSP88H6327XTSA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

SIPMOS®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-261-4, TO-261AA

بسته دستگاه تامین کننده

PG-SOT223-4

اتلاف نیرو (حداکثر)

1.8W (Ta)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

240V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

350mA (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

1.4V @ 108µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

6.8nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

95pF @ 25V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

2.8V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 23060 PCS

اطلاعات تماس