خرید Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 MOSFET N-CH 50V 50A TO252

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SQD50N05-11L_GE3

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

شماره قطعه

SQD50N05-11L_GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Digi-Reel®

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

بسته دستگاه تامین کننده

TO-252AA

اتلاف نیرو (حداکثر)

75W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

50V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

11 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.5V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

52nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

2106pF @ 25V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 34884 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252