خرید Vishay Siliconix SQ2362ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SQ2362ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

شماره قطعه

SQ2362ES-T1_GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

بسته دستگاه تامین کننده

اتلاف نیرو (حداکثر)

3W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

4.3A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

95 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.5V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

12nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

550pF @ 30V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 14005 PCS

اطلاعات تماس