خرید Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

شماره قطعه

SIA850DJ-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

LITTLE FOOT®

وضعیت قطعه

Obsolete

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SC-70-6 Dual

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SC-70-6 Dual

اتلاف نیرو (حداکثر)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

Schottky Diode (Isolated)

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

190V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

950mA (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

1.4V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

4.5nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

90pF @ 100V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

1.8V, 4.5V

Vgs (حداکثر)

±16V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 40548 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6