تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A SC70
شماره قطعه
SIA459EDJ-T1-GE3
سازنده / برند
سلسله
TrenchFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® SC-70-6
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® SC-70-6 Single
اتلاف نیرو (حداکثر)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
نوع FET
P-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
20V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
35 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
1.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
30nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
885pF @ 10V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
2.5V, 4.5V
Vgs (حداکثر)
±12V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 46152 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3 اجزای الکترونیکی
SIA459EDJ-T1-GE3 حراجی
SIA459EDJ-T1-GE3 تامین کننده
SIA459EDJ-T1-GE3 پخش کننده
SIA459EDJ-T1-GE3 جدول داده
SIA459EDJ-T1-GE3 عکس
SIA459EDJ-T1-GE3 قیمت
SIA459EDJ-T1-GE3 پیشنهاد
SIA459EDJ-T1-GE3 پایین ترین قیمت
SIA459EDJ-T1-GE3 جستجو کردن
SIA459EDJ-T1-GE3 خرید
SIA459EDJ-T1-GE3 Chip