خرید Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

شماره قطعه

SIA413DJ-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SC-70-6

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SC-70-6 Single

اتلاف نیرو (حداکثر)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

نوع FET

P-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

12V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

1V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

57nC @ 8V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

1800pF @ 10V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

1.5V, 4.5V

Vgs (حداکثر)

±8V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 17654 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70