تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
شماره قطعه
SIA413DJ-T1-GE3
سازنده / برند
سلسله
TrenchFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Cut Tape (CT)
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® SC-70-6
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® SC-70-6 Single
اتلاف نیرو (حداکثر)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
نوع FET
P-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
12V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
57nC @ 8V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1800pF @ 10V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
1.5V, 4.5V
Vgs (حداکثر)
±8V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 17654 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3 اجزای الکترونیکی
SIA413DJ-T1-GE3 حراجی
SIA413DJ-T1-GE3 تامین کننده
SIA413DJ-T1-GE3 پخش کننده
SIA413DJ-T1-GE3 جدول داده
SIA413DJ-T1-GE3 عکس
SIA413DJ-T1-GE3 قیمت
SIA413DJ-T1-GE3 پیشنهاد
SIA413DJ-T1-GE3 پایین ترین قیمت
SIA413DJ-T1-GE3 جستجو کردن
SIA413DJ-T1-GE3 خرید
SIA413DJ-T1-GE3 Chip