تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
شماره قطعه
SI8816EDB-T2-E1
سازنده / برند
سلسله
TrenchFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
4-XFBGA
بسته دستگاه تامین کننده
4-Microfoot
اتلاف نیرو (حداکثر)
500mW (Ta)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
-
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
109 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
1.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
8nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
195pF @ 15V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
2.5V, 10V
Vgs (حداکثر)
±12V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 8162 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از SI8816EDB-T2-E1
SI8816EDB-T2-E1 اجزای الکترونیکی
SI8816EDB-T2-E1 حراجی
SI8816EDB-T2-E1 تامین کننده
SI8816EDB-T2-E1 پخش کننده
SI8816EDB-T2-E1 جدول داده
SI8816EDB-T2-E1 عکس
SI8816EDB-T2-E1 قیمت
SI8816EDB-T2-E1 پیشنهاد
SI8816EDB-T2-E1 پایین ترین قیمت
SI8816EDB-T2-E1 جستجو کردن
SI8816EDB-T2-E1 خرید
SI8816EDB-T2-E1 Chip