خرید Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SI7858BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

شماره قطعه

SI7858BDP-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SO-8

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SO-8

اتلاف نیرو (حداکثر)

5W (Ta), 48W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

12V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

2.5 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

1V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

84nC @ 4.5V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

5760pF @ 6V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

1.8V, 4.5V

Vgs (حداکثر)

±8V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 6920 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SI7802DN-T1-E3

MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8