تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
شماره قطعه
SI7137DP-T1-GE3
سازنده / برند
سلسله
TrenchFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® SO-8
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® SO-8
اتلاف نیرو (حداکثر)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
نوع FET
P-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
20V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
1.95 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
1.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
585nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
20000pF @ 10V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
2.5V, 10V
Vgs (حداکثر)
±12V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به chen_hx1688@hotmail.com بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 17562 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از SI7137DP-T1-GE3
SI7137DP-T1-GE3 اجزای الکترونیکی
SI7137DP-T1-GE3 حراجی
SI7137DP-T1-GE3 تامین کننده
SI7137DP-T1-GE3 پخش کننده
SI7137DP-T1-GE3 جدول داده
SI7137DP-T1-GE3 عکس
SI7137DP-T1-GE3 قیمت
SI7137DP-T1-GE3 پیشنهاد
SI7137DP-T1-GE3 پایین ترین قیمت
SI7137DP-T1-GE3 جستجو کردن
SI7137DP-T1-GE3 خرید
SI7137DP-T1-GE3 Chip