تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
شماره قطعه
SI7116DN-T1-GE3
سازنده / برند
سلسله
TrenchFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Cut Tape (CT)
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® 1212-8
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® 1212-8
اتلاف نیرو (حداکثر)
1.5W (Ta)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
7.8 mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
23nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
-
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 49349 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از SI7116DN-T1-GE3
SI7116DN-T1-GE3 اجزای الکترونیکی
SI7116DN-T1-GE3 حراجی
SI7116DN-T1-GE3 تامین کننده
SI7116DN-T1-GE3 پخش کننده
SI7116DN-T1-GE3 جدول داده
SI7116DN-T1-GE3 عکس
SI7116DN-T1-GE3 قیمت
SI7116DN-T1-GE3 پیشنهاد
SI7116DN-T1-GE3 پایین ترین قیمت
SI7116DN-T1-GE3 جستجو کردن
SI7116DN-T1-GE3 خرید
SI7116DN-T1-GE3 Chip