خرید Vishay Siliconix SI4431CDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

شماره قطعه

SI4431CDY-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Digi-Reel®

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

بسته دستگاه تامین کننده

8-SO

اتلاف نیرو (حداکثر)

2.5W (Ta), 4.2W (Tc)

نوع FET

P-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

32 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.5V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

38nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

1006pF @ 15V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 41186 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC