تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6
شماره قطعه
SI3476DV-T1-GE3
سازنده / برند
سلسله
TrenchFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Cut Tape (CT)
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
بسته دستگاه تامین کننده
6-TSOP
اتلاف نیرو (حداکثر)
2W (Ta), 3.6W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
80V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
93 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
7.5nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
195pF @ 40V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 16883 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از SI3476DV-T1-GE3
SI3476DV-T1-GE3 اجزای الکترونیکی
SI3476DV-T1-GE3 حراجی
SI3476DV-T1-GE3 تامین کننده
SI3476DV-T1-GE3 پخش کننده
SI3476DV-T1-GE3 جدول داده
SI3476DV-T1-GE3 عکس
SI3476DV-T1-GE3 قیمت
SI3476DV-T1-GE3 پیشنهاد
SI3476DV-T1-GE3 پایین ترین قیمت
SI3476DV-T1-GE3 جستجو کردن
SI3476DV-T1-GE3 خرید
SI3476DV-T1-GE3 Chip