خرید Vishay Siliconix SI3459BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SI3459BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

شماره قطعه

SI3459BDV-T1-GE3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Digi-Reel®

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

بسته دستگاه تامین کننده

6-TSOP

اتلاف نیرو (حداکثر)

2W (Ta), 3.3W (Tc)

نوع FET

P-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

2.9A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

216 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

12nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

350pF @ 30V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 6267 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN