خرید Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

SI2304BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

شماره قطعه

SI2304BDS-T1-E3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Digi-Reel®

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-23-3 (TO-236)

اتلاف نیرو (حداکثر)

750mW (Ta)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

70 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

4nC @ 5V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

225pF @ 15V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 44895 PCS

اطلاعات تماس