خرید Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

SI2301CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

شماره قطعه

SI2301CDS-T1-E3

سازنده / برند

Vishay Siliconix

سلسله

TrenchFET®

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-23-3 (TO-236)

اتلاف نیرو (حداکثر)

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

نوع FET

P-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

3.1A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

112 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

1V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

10nC @ 4.5V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

405pF @ 10V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

2.5V, 4.5V

Vgs (حداکثر)

±8V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 28869 PCS

اطلاعات تماس