خرید Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP60N IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

VS-GT50TP60N

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

شماره قطعه

VS-GT50TP60N

سازنده / برند

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسله

وضعیت قطعه

Active

دمای عملیاتی

175°C (TJ)

نوع نصب

Chassis Mount

بسته / مورد

INT-A-PAK (3 + 4)

قدرت - حداکثر

208W

پیکربندی

Half Bridge

بسته دستگاه تامین کننده

INT-A-PAK

فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر)

85A

ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)

600V

فعلی - برش جمع کننده (حداکثر)

1mA

نوع IGBT

Trench

Vce(on) (Max) @ Vge، Ic

2.1V @ 15V, 50A

ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

ورودی

Standard

ترمیستور NTC

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 36833 PCS

اطلاعات تماس