خرید Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH,L1Q MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

TPN14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

شماره قطعه

TPN14006NH,L1Q

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

U-MOSVIII-H

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerVDFN

بسته دستگاه تامین کننده

8-TSON Advance (3.3x3.3)

اتلاف نیرو (حداکثر)

700mW (Ta), 30W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

14 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

4V @ 200µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

15nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

1300pF @ 30V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

6.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 26780 PCS

اطلاعات تماس