خرید Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

شماره قطعه

TK31V60X,LQ

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

DTMOSIV-H

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

4-VSFN Exposed Pad

بسته دستگاه تامین کننده

4-DFN-EP (8x8)

اتلاف نیرو (حداکثر)

240W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

Super Junction

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

600V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

30.8A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

98 mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

3.5V @ 1.5mA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

65nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

3000pF @ 300V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±30V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 9799 PCS

اطلاعات تماس