خرید Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

شماره قطعه

TK12E80W,S1X

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

DTMOSIV

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tube

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220

اتلاف نیرو (حداکثر)

165W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

800V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

11.5A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

450 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

4V @ 570µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

23nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

1400pF @ 300V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 22952 PCS

اطلاعات تماس