خرید Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719(F) MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

2SK2719(F)

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

شماره قطعه

2SK2719(F)

سازنده / برند

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسله

وضعیت قطعه

Obsolete

بسته بندی

Tube

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-3P-3, SC-65-3

بسته دستگاه تامین کننده

TO-3P(N)

اتلاف نیرو (حداکثر)

125W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

900V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

4.3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

4V @ 1mA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

25nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

750pF @ 25V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±30V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 42670 PCS

اطلاعات تماس