RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
شماره قطعه
RQ3E160ADTB
سازنده / برند
سلسله
-
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
8-PowerVDFN
بسته دستگاه تامین کننده
8-HSMT (3.2x3)
اتلاف نیرو (حداکثر)
2W (Ta)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
51nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2550pF @ 15V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 47893 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB اجزای الکترونیکی
RQ3E160ADTB حراجی
RQ3E160ADTB تامین کننده
RQ3E160ADTB پخش کننده
RQ3E160ADTB جدول داده
RQ3E160ADTB عکس
RQ3E160ADTB قیمت
RQ3E160ADTB پیشنهاد
RQ3E160ADTB پایین ترین قیمت
RQ3E160ADTB جستجو کردن
RQ3E160ADTB خرید
RQ3E160ADTB Chip