خرید NXP USA Inc. PMDPB56XN,115 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

PMDPB56XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

شماره قطعه

PMDPB56XN,115

سازنده / برند

NXP USA Inc.

سلسله

وضعیت قطعه

Obsolete

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

6-UDFN Exposed Pad

قدرت - حداکثر

510mW

بسته دستگاه تامین کننده

DFN2020-6

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

ویژگی FET

Logic Level Gate

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

3.1A

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

73 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

1.5V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

170pF @ 15V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 29816 PCS

اطلاعات تماس