خرید NXP USA Inc. BUK7E1R6-30E,127 MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

BUK7E1R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

شماره قطعه

BUK7E1R6-30E,127

سازنده / برند

NXP USA Inc.

سلسله

TrenchMOS™

وضعیت قطعه

Obsolete

بسته بندی

Tube

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

بسته دستگاه تامین کننده

I2PAK

اتلاف نیرو (حداکثر)

349W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

1.6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

4V @ 1mA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

154nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

11960pF @ 25V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 49379 PCS

اطلاعات تماس

محصولات مرتبط

BUK7105-40AIE,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK