تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXTH67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
شماره قطعه
IXTH67N10
سازنده / برند
سلسله
MegaMOS™
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته / مورد
TO-247-3
بسته دستگاه تامین کننده
TO-247 (IXTH)
اتلاف نیرو (حداکثر)
300W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
100V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
260nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4500pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 28738 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXTH67N10
IXTH67N10 اجزای الکترونیکی
IXTH67N10 حراجی
IXTH67N10 تامین کننده
IXTH67N10 پخش کننده
IXTH67N10 جدول داده
IXTH67N10 عکس
IXTH67N10 قیمت
IXTH67N10 پیشنهاد
IXTH67N10 پایین ترین قیمت
IXTH67N10 جستجو کردن
IXTH67N10 خرید
IXTH67N10 Chip