تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH
شماره قطعه
IXTA3N100D2HV
سازنده / برند
سلسله
-
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
-
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
بسته دستگاه تامین کننده
TO-263HV
اتلاف نیرو (حداکثر)
125W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
Depletion Mode
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
1000V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
37.5nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1020pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
0V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 42704 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV اجزای الکترونیکی
IXTA3N100D2HV حراجی
IXTA3N100D2HV تامین کننده
IXTA3N100D2HV پخش کننده
IXTA3N100D2HV جدول داده
IXTA3N100D2HV عکس
IXTA3N100D2HV قیمت
IXTA3N100D2HV پیشنهاد
IXTA3N100D2HV پایین ترین قیمت
IXTA3N100D2HV جستجو کردن
IXTA3N100D2HV خرید
IXTA3N100D2HV Chip