تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXFT80N20Q
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
شماره قطعه
IXFT80N20Q
سازنده / برند
سلسله
HiPerFET™
وضعیت قطعه
Last Time Buy
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
بسته دستگاه تامین کننده
TO-268
اتلاف نیرو (حداکثر)
360W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
28 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
180nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4600pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 21778 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXFT80N20Q
IXFT80N20Q اجزای الکترونیکی
IXFT80N20Q حراجی
IXFT80N20Q تامین کننده
IXFT80N20Q پخش کننده
IXFT80N20Q جدول داده
IXFT80N20Q عکس
IXFT80N20Q قیمت
IXFT80N20Q پیشنهاد
IXFT80N20Q پایین ترین قیمت
IXFT80N20Q جستجو کردن
IXFT80N20Q خرید
IXFT80N20Q Chip