تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXFT60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
شماره قطعه
IXFT60N25Q
سازنده / برند
سلسله
HiPerFET™
وضعیت قطعه
Last Time Buy
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
بسته دستگاه تامین کننده
TO-268
اتلاف نیرو (حداکثر)
360W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
250V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
47 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
180nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
5100pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 32442 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXFT60N25Q
IXFT60N25Q اجزای الکترونیکی
IXFT60N25Q حراجی
IXFT60N25Q تامین کننده
IXFT60N25Q پخش کننده
IXFT60N25Q جدول داده
IXFT60N25Q عکس
IXFT60N25Q قیمت
IXFT60N25Q پیشنهاد
IXFT60N25Q پایین ترین قیمت
IXFT60N25Q جستجو کردن
IXFT60N25Q خرید
IXFT60N25Q Chip