تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXFT52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
شماره قطعه
IXFT52N30Q
سازنده / برند
سلسله
HiPerFET™
وضعیت قطعه
Last Time Buy
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
بسته دستگاه تامین کننده
TO-268
اتلاف نیرو (حداکثر)
360W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
300V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
150nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
5300pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 45250 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXFT52N30Q
IXFT52N30Q اجزای الکترونیکی
IXFT52N30Q حراجی
IXFT52N30Q تامین کننده
IXFT52N30Q پخش کننده
IXFT52N30Q جدول داده
IXFT52N30Q عکس
IXFT52N30Q قیمت
IXFT52N30Q پیشنهاد
IXFT52N30Q پایین ترین قیمت
IXFT52N30Q جستجو کردن
IXFT52N30Q خرید
IXFT52N30Q Chip