تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXFT50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
شماره قطعه
IXFT50N20
سازنده / برند
سلسله
HiPerFET™
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
بسته دستگاه تامین کننده
TO-268
اتلاف نیرو (حداکثر)
300W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
220nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4400pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 24998 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXFT50N20
IXFT50N20 اجزای الکترونیکی
IXFT50N20 حراجی
IXFT50N20 تامین کننده
IXFT50N20 پخش کننده
IXFT50N20 جدول داده
IXFT50N20 عکس
IXFT50N20 قیمت
IXFT50N20 پیشنهاد
IXFT50N20 پایین ترین قیمت
IXFT50N20 جستجو کردن
IXFT50N20 خرید
IXFT50N20 Chip