تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IXFT30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
شماره قطعه
IXFT30N50Q
سازنده / برند
سلسله
HiPerFET™
وضعیت قطعه
Last Time Buy
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
بسته دستگاه تامین کننده
TO-268
اتلاف نیرو (حداکثر)
360W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
500V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
160 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4.5V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
190nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4925pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 26275 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXFT30N50Q
IXFT30N50Q اجزای الکترونیکی
IXFT30N50Q حراجی
IXFT30N50Q تامین کننده
IXFT30N50Q پخش کننده
IXFT30N50Q جدول داده
IXFT30N50Q عکس
IXFT30N50Q قیمت
IXFT30N50Q پیشنهاد
IXFT30N50Q پایین ترین قیمت
IXFT30N50Q جستجو کردن
IXFT30N50Q خرید
IXFT30N50Q Chip