IXFA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
شماره قطعه
IXFA3N120TRL
سازنده / برند
سلسله
HiPerFET™
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
بسته دستگاه تامین کننده
TO-263
اتلاف نیرو (حداکثر)
200W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
1200V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
5V @ 1.5mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
39nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1050pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 12808 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL اجزای الکترونیکی
IXFA3N120TRL حراجی
IXFA3N120TRL تامین کننده
IXFA3N120TRL پخش کننده
IXFA3N120TRL جدول داده
IXFA3N120TRL عکس
IXFA3N120TRL قیمت
IXFA3N120TRL پیشنهاد
IXFA3N120TRL پایین ترین قیمت
IXFA3N120TRL جستجو کردن
IXFA3N120TRL خرید
IXFA3N120TRL Chip