تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IRFI4229PBF
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
شماره قطعه
IRFI4229PBF
سازنده / برند
سلسله
HEXFET®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tube
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته / مورد
TO-220-3
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220AB
اتلاف نیرو (حداکثر)
46W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
250V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
46 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
110nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
4480pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±30V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 51083 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از IRFI4229PBF
IRFI4229PBF اجزای الکترونیکی
IRFI4229PBF حراجی
IRFI4229PBF تامین کننده
IRFI4229PBF پخش کننده
IRFI4229PBF جدول داده
IRFI4229PBF عکس
IRFI4229PBF قیمت
IRFI4229PBF پیشنهاد
IRFI4229PBF پایین ترین قیمت
IRFI4229PBF جستجو کردن
IRFI4229PBF خرید
IRFI4229PBF Chip