تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
IRF6674TR1PBF

IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
شماره قطعه
IRF6674TR1PBF
سازنده / برند
سلسله
HEXFET®
وضعیت قطعه
Obsolete
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
MOSFET (Metal Oxide)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
DirectFET™ Isometric MZ
بسته دستگاه تامین کننده
DIRECTFET™ MZ
اتلاف نیرو (حداکثر)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
60V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
4.9V @ 100µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
36nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1350pF @ 25V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Vgs (حداکثر)
±20V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 8572 PCS
اطلاعات تماس
کلمات کلیدی از IRF6674TR1PBF
IRF6674TR1PBF اجزای الکترونیکی
IRF6674TR1PBF حراجی
IRF6674TR1PBF تامین کننده
IRF6674TR1PBF پخش کننده
IRF6674TR1PBF جدول داده
IRF6674TR1PBF عکس
IRF6674TR1PBF قیمت
IRF6674TR1PBF پیشنهاد
IRF6674TR1PBF پایین ترین قیمت
IRF6674TR1PBF جستجو کردن
IRF6674TR1PBF خرید
IRF6674TR1PBF Chip