خرید Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

IPG20N10S4L22ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

شماره قطعه

IPG20N10S4L22ATMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerVDFN

قدرت - حداکثر

60W

بسته دستگاه تامین کننده

PG-TDSON-8-4

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

ویژگی FET

Logic Level Gate

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

20A

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

22 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.1V @ 25µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

27nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

1755pF @ 25V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 40004 PCS

اطلاعات تماس