خرید Infineon Technologies IPG20N06S2L65AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

مشاهده اطلاعات بیشتر برگه های اطلاعات

IPG20N06S2L65AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

شماره قطعه

IPG20N06S2L65AATMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerVDFN

قدرت - حداکثر

43W

بسته دستگاه تامین کننده

PG-TDSON-8-10

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

ویژگی FET

Logic Level Gate

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

55V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

20A

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2V @ 14µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

12nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

410pF @ 25V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 18860 PCS

اطلاعات تماس