خرید Infineon Technologies IPD040N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

IPD040N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

شماره قطعه

IPD040N03LGATMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

OptiMOS™

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Cut Tape (CT)

فن آوری

MOSFET (Metal Oxide)

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

بسته دستگاه تامین کننده

PG-TO252-3

اتلاف نیرو (حداکثر)

79W (Tc)

نوع FET

N-Channel

ویژگی FET

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.2V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

38nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

3900pF @ 15V

ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)

4.5V, 10V

Vgs (حداکثر)

±20V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 53639 PCS

اطلاعات تماس