خرید Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.

برگه های اطلاعات

BSC072N03LDGATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

شماره قطعه

BSC072N03LDGATMA1

سازنده / برند

Infineon Technologies

سلسله

OptiMOS™

وضعیت قطعه

Active

بسته بندی

Digi-Reel®

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerVDFN

قدرت - حداکثر

57W

بسته دستگاه تامین کننده

PG-TDSON-8 Dual

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

ویژگی FET

Logic Level Gate

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C

11.5A

Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs

7.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (حداکثر) @ ID

2.2V @ 250µA

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

41nC @ 10V

ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds

3500pF @ 15V

در خواست نقل قول

لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.

در انبار 26509 PCS

اطلاعات تماس