تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
EPC2100
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
شماره قطعه
EPC2100
سازنده / برند
سلسله
eGaN®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
Die
قدرت - حداکثر
-
بسته دستگاه تامین کننده
Die
نوع FET
2 N-Channel (Half Bridge)
ویژگی FET
GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
30V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 12223 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از EPC2100
EPC2100 اجزای الکترونیکی
EPC2100 حراجی
EPC2100 تامین کننده
EPC2100 پخش کننده
EPC2100 جدول داده
EPC2100 عکس
EPC2100 قیمت
EPC2100 پیشنهاد
EPC2100 پایین ترین قیمت
EPC2100 جستجو کردن
EPC2100 خرید
EPC2100 Chip